Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т неорганической химии им. А.В. Николаева, Иркутский ин-т химии им. А.Е. Фаворского, Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржано

В монографии представлены результаты развития процессов химического осаждения из газовой фазы металлических и диэлектрических пленок с использованием нетрадиционных летучих исходных соединений, а именно, комплексных соединений металлов и кремнийор-ганических соединений, синтезируемых в ИНХ СО РАН и ИрИХ СО РАН. Рассматриваются результаты исследования физико-химических свойств исходных соединений. Изложены принципы выбора исходных соединений, основанные на исследовании их термодинамических свойств и термодинамическом моделировании MO CVD процессов. Получены и исследованы наиболее важные для современной электроники и наноэлектроники материалы: металлические пленки (Cu, Ni, Ru, Ir), диэлектрические пленки с высоким (high-k) и низким (low-k) значением диэлектрической проницаемости. Изучены химический, фазовый состав и структура простых и сложных оксидов на основе HfO2 (high-k диэлектрики), а также карбонитридов бора, карбонитридов и оксикарбонитридов кремния (low-k диэлектрики).
Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся химией твердого тела, микроэлектроникой и технологией материалов электронной техники. Утверждено к печати Ученым советом Института неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН

Смирнова Т.П. Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т неорганической химии им. А.В. Николаева, Иркутский ин-т химии им. А.Е. Фаворского, Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржано / Т.П. Смирнова. - Новосибирск : СО РАН, 2013. - 176 с. - ISBN 978-5-7692-1272-7. - URL: https://www.ibooks.ru/bookshelf/371906/reading (дата обращения: 17.07.2025). - Текст: электронный.